硬盘、移动硬盘就属于此类；存储芯片（Memory）则是以半导体为材料的存储介质，我们平日常用的U 盘、PC内存、S
在分类上，以断电后存储数据是不是丢失为标准，存储芯片（Memory）可分2类：一类是非易失性存储器（Non-Volatile Memory），这一类Memory 断电后数据能够存储，主要以NAND Flash为代表，常见于U 盘和SSD（固态硬盘)；另一类是易失性存储器（VolatileMemory），这一类Memory 断电后数据不能储存，主要以DRAM为代表， 常用于电脑、手机内存。
存储芯片（Memory ）的上下游，实际上的意思就是整个大IC集成电路）的产业链条：设计、制造、封测。因此，对应的也有两种生产模式：IDM模式、fabless模式。
DRAM巨头海力士、美光等是IDM模式，设计和制造全自家包办；兆易创新是fabless模式；主要涉及存储芯片的公司包括：兆易创新、太极实业、北方华创、长川科技等。
（1）北方华创是由七星电子和北方微电子战略重组而成，是半导体设备龙头。公司主要营业业务包括半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四大业务；
（2）中国大陆地区是全球第三大半导体设备市场，但国内半导体设备自给率不足15%，进口替代空间巨大；
（3）公司于2018年1月完成收购美国Akrion公司，形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统与半导体照明等泛半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线）公司的真空装备、锂电装备以及精密元器件业务齐头并进，稳定发展。
（1）长川科技作为国产测试设备有突出贡献的公司，始终致力于测试机和分选机的研发。2013年以来，公司承担了国家科技重大02专项中两项课题的研发工作，并获国家产业基金入股7.5%，充分体现其核心技术优势。
（2）公司集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。
（3）从产品质量上看，公司测试机、分选机产品的主要性能指标已达国内领先、接近国外先进的技术水平；从盈利能力上看，长川科技的毛利率和净利率均高于国外设备巨头。
半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。
、海力士和美国美光科技三家占据，全球高端垄断、国产DRAM是空白。在2017年的DRAM市场，三星电子以44.5%的市场占有率稳居市场第一；SK海力士则以27.9%的市场占有率紧追其后；美光科技（22.9%）；南亚科技（2.2%）；华邦电子（0.8%）分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。存储特征：断电后数据不能存储。
应用领域：主要是PC、手机、服务器的内存，分别占比30%、35%、15%。
领域的DRAM的应用也在渗透，占15%左右。量价特征：目前主要是供给和需求决定DRAM的价格趋势，而非技术升级。DRAM技术更新不明显，
3作为主流技术已存续超过5年，技术提升带来的成本下降，没有NAND Flash那么明显。市场空间与技术趋势：
2.Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元，占全球比重23.2%，预计到2018年，中国DRAM市场容量将达到210美元规模，占全球比重达到29%；
由32位转向64位，对于内存的需求大幅度提升，往往要从4GB升级至8GB乃至16GB，此外手机需求也是最大利好。竞争格局：
1.3家垄断：三星、SK海力士、美光，合计占据全球95%以上份额，三家市占率约4：3：2。
2.巨头技术水平：三星已经大规模采用20nm制程，毛利率也达到40%；SK海力士采用25nm制程，毛利率也达到了40%；美光制程水平较靠后，以30nm为主，毛利率为25%左右。
1.太极实业：A股最纯正的Memory封测标的，2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体，专门承接DRAM芯片封测。
2.深科技：2015年收购金士顿（KINSTON）核心封测厂商沛顿科技100%股权；2016年4月导入DDR4项目，截至今年6月底，出货量已经突破150万条。
3.晶方科技：2015年2月收购智端达科技，后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州
园的封装测试和模组工厂。4.紫光国芯：2015年8月收购西安华芯51%股权，该公司申请DRAM专利为国内之最，但目前无实质产能。
、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。存储特征：断电后数据能够存储，可大容量存储。
量价特征：除供需外，3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计，单位材料可以存储更多信息，也可有实际效果的减少成本，导致NAND Flash价格走低。
2.SSD（固态硬盘）替代传统机械硬盘（HHD）的趋势不可阻挡，尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD（固态硬盘）需求，在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。NAND Flash已经取代手机基带/AP 和
1.4分天下：三星市占率连续保持在35%上下；东芝与闪迪（SanDisk）合占30%左右；再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。
2.中金公司预计，紫光国芯在NAND市场占有率将占中国总需求的50%左右，即300亿人民币。
1.紫光国芯：大股东紫光集团2015年控股西部数据，而西部数据又以约190亿美元收购闪迪（SanDisk）；大额定增中，600亿元拟投入存储芯片工厂，预计可新增12万片/月产能，将贡献营业收入354亿元，年均利润为87.2亿元，满产时间在4年后。
2.武汉新芯（长江存储）：基本的产品为3D NAND，拟投入1600亿元，存储厂预计于2018年完工，2019年量产，首批产能为4万片，预计到2020年形成月产能30万片，到2030年每月产能100万片。
3.华天科技：2015年与武汉新芯签订战略合作协议，将部分承接后者的Memory封测订单。
（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中，兆易创新(603986)目前国内稀缺，全球市占率在10%左右。存储特征：断电后数据能够存储，大多数都用在存储代码。属于小容量型。
1.空间小、格局分散，巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场；
2.美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。
龙头中芯国际，进一步夯实战略联盟；④2018年3月收购思立微，打造存储-微处理-传感交互一体式解决方案；
⑤兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利！2017年10月，兆易创新宣布，与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破，也利好兆易创新的DRAM战略！
自上世纪90年代之后，全球存储器制造厂商未见有一家“新进者”，其间奇梦达倒闭，及美光兼并了尔必达，导致在DRAM领域全球仅存三家，包括三星、海力士与美光（中国***地区的多家加起来占5%，可忽略不计）以及NAND闪存仅存四个联合体，包括三星、东芝与西数、海力士及美光与英特尔，其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。
存储器业基本上的“规律”是盈利一年，亏损两年，而三星是个例外，它独霸天下，善于作逆向投资。如依Gartner数据，2017年全球存储器增长64.3%，达约1200亿美元，而2018年增长13.7%，及2019年下降12.9%，2020年再下降10.2%。
由于存储器产品的特殊性，它的设计相对简单，因此产品的线宽、产能、成品率与折旧，成为成本的最大项目。任何新进者，由于产能爬坡，折旧等因素几乎没办法与三星等相匹敌，所以即便舍得投入巨资，恐怕也难以取胜，其中还有专利等问题。
(CPU)与存储器两者之中选一，众所周知，处理器己经投入近20年，龙芯的结果是有成绩，但是难予推广应用。所以只能选择存储器是众望所归，仅是感觉难度太大，多数人在开始时表示犹豫而己。如今“木己成舟”，只能齐心协力，努力拼搏向前。从存储器产品中的DRAM产业来看，中国在发展策略上已有逐步收敛之势，并非杂乱无章。以技术布局的角度观察，中国DRAM领域中除了绘图用内存未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。
中国DRAM产业目前已有福建晋华、合肥长鑫两大阵营。福建晋华专注利基型内存的开发，主攻消费型电子市场，有望凭借着中国本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将影响国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。
相较于福建晋华避开国际大厂的主力产品，合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式内存产品。行动式内存已是内存类别中占比最高的产品，其省电技术方面的要求极高，开发难度相当高。然而，中国
手机出货已占全球逾四成，倘若LPDDR4能顺利量产并配合补贴政策，中国政府进口取代的策略就可以完成部分阶段性任务。观察中国在NAND Flash领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商，初期也将以中国内需市场的布局为主。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期产品会以卡碟类为大宗。
随着长江存储技术发展来到64/96层才有机会进军SSD市场，但此市场技术竞争相当激烈，没有中国政府的支持，短期会难以在成本上取得优势，利用中国内需市场壮大自己将是紫光集团未来可行的策略。
而武汉新芯随着长江存储的成立后，将专注于NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试产线暂放在武汉新芯，但随着长江存储于武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。
以目前现况来看，中国发展存储器的策略能不能成功，未来的3~5年将是非常非常重要的关键期，特别是强化IP的布局，中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。
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